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2dsemiconductors代理 ​

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2dsemiconductors代理-上海金畔

2dsemiconductors公司专注于研发和生产二维材料，产品包括二维材料单晶、二维材料化合物、二维晶体管、二维光电探测器、二维太阳能电池和其他二维材料器件。


2dsemiconductors常卖产品：

货号 品名 规格 品牌
BLK-hBN-HPA Hexagonal Boron Nitride (h-BN) ea 2dsemiconductors
BLK-MoTe2 Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2) ea 2dsemiconductors
BLK-NiPS3 NiPS3 Crystal ea 2dsemiconductors
BLK-WS2 Tungsten Disulfide (WS2) ea 2dsemiconductors
CVD-MoS2-ML-S Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si ea 2dsemiconductors
CVD-WS2-ML-SiO2Si WS2 on SiO2/Si ea 2dsemiconductors
kish-graphite Kish graphite ea 2dsemiconductors

美国 2dsemiconductors中国代理

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美国 2dsemiconductors中国代理——上海金畔

 


 

 

 

关于“正牌代理商”栏目的声明

 

“正牌代理商”栏目设立的初衷是为了让读者在购买产品时能更快找到厂家的代理商，不用一张一张地翻名片，也不用担心买到水货和假货。基于这个初衷，我们收录了多个品牌的代理商，并在签订合同时进行了严格的审核。各厂家或代理商以合同的形式对其代理信息的真实性和准确性进行了保证。  然而，由于生物产品市场的复杂性，尽管我们进行了严格的审核，也不能保证信息的*准确和实时更新。基于此，今后我们会尽我们最大的努力去进行更严格的审核，也希望各厂家和代理商配合和谅解。

 

 

 

 

2Dsemiconductors USA 是先进的高品质 2D 层状晶体、大面积 CVD 生长的 2D 片材、2D 解决方案和 2D 粉末的制造商。

NiPS3 Crystal

SKU: BLK-NiPS3

2dsemiconductors NiPS3水晶

2dsemiconductors BLK-NiPS3

商业市场上的磁性级 NiPS3 vdW 晶体。我们的客户知道，少量的缺陷和磁性杂质足以掩盖二维磁体对奇异磁性行为的观察。我们的 vdW 磁铁采用先进的技术制造，通过缓慢但高质量的自磁通技术提供高磁性质量的晶体，而无需使用任何污染性运输剂。

NiPS3是块体形式的准二维反铁磁体，而其在单层极限下的磁响应在很大程度上仍是未知的。NiPS3晶体均以C2/m空间群几何形状结晶。这些晶体是在我们的设施中通过蒸汽传输来生长的，以带来无缺陷的 vdw 晶体。根据我们的经验，空缺缺陷计划的一个重要作用是它们的稳定性以及 FM 响应。 所有这些产品均使用非磁性镊子在非磁性环境中使用不含磁性杂质的工具进行处理，以确保可以自信地测量和探测内在磁性。

  • 结晶： 在我们的生长过程中，我们密切关注创造的晶体，每一个晶体都在真空或氩气环境下处理和表征。

  • 样品包装： 样品用 Ar 气吹扫多次，泵送至 1E-6 Torr 压力，以确保晶体不会与残留气体相互作用。

  • 新鲜样品： 晶体总是新鲜生长并立即运出。 

  • 全面表征： 在惰性气体条件下使用各种技术对样品进行表征，以确认结晶质量。

NiPS3晶体的性质 

XRD 数据取自 2Dsemiconductors USA 的 NiPS3 晶体

2Dsemiconductors USA 从 NiPS3 晶体收集的拉曼光谱

 

 

 

 

 

2dsemiconductors ZrS3晶体说明书

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2dsemiconductors代理

2dsemiconductors ZrS3晶体说明书


ZrS3晶体

环境稳定的各向异性过渡金属三硫属化物材料 ZrS3 可在美国 2Dsemiconductors 获得。ZrS3 与 MoS2 和其他层状体系一样是层状材料，只是它表现出高度各向异性的晶体结构和材料特性（如 ReS2 或 TiS3）。晶体各向异性的存在导致了与方向相关的特性，如热导率、电子迁移率和激子结合能。在典型的订单中，大量分层的针状薄片被包含在氩气环境下密封的胶囊中。晶体已通过 TEM、XPS、SIMS、拉曼和 XRD 进行了表征，并具有 1:3 化学计量比和小于 1 个缺陷/10,000 个晶胞的缺陷密度。

晶体尺寸 ~ 0.4-0.6 厘米

材料特性

  • 热电红外半导体

  • 高载流子迁移率半导体

  • 二维各向异性半导体

  • 二维催化材料

ZrS3 单晶的拉曼光谱

2dsemiconductors  BLK-ZrS3

2dsemiconductors MBE-MoS2说明书

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2dsemiconductors  MBE-MoS2说明书


2dsemiconductors代理

2D MBE 单层

分子束外延 (MBE) 生长被认为是用于外延合成高质量光学、电子、量子和热级材料的最复杂的技术之一。这项技术的真正威力来自于我们能够将非常少量的原子（低至每秒 5 个原子）发送到原子级平面基板上以达到高结晶度。整个生长过程在低至 1E-9 Torr 的压力下进行，以创造出高质量和纯净的材料。 

目前，我们的团队在我们的两个 MBE 沉积室中将 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 单层膜提供到蓝宝石上。在不久的将来，我们的沉积团队将在石墨和金等导电基材上提供这些材料，用于扫描隧道显微镜 (STM) 研究。我们设想在 2019 年发布新的 MBE 生长材料，包括 SnS2、SnSe2、PtS2、PtSe2、PdS2、PdSe2、ZrS2 和 ZrSe2。在 2020 年初，我们公司打算发布 MBE 生长的量子材料，用于更先进的测量和测试。

MBE、CVD 和 MOCVD 生长样品之间的平均结构比较

 

 

 

2D MBE MoS2

货号： MBE-MoS2

2D MBE MoS2

一个分子束外延 (MBE) 生长的 MoS2 单分子层。MBE 是一种用于单晶质量薄膜沉积的外延方法，与化学气相沉积 (CVD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 技术相比，它提供了高结晶度和降低的缺陷密度（参见下面的 HRTEM 图像）。MoS2 单层的 MBE 生长发生在 MBE 室中，基础压力为 8E-9 Torr，沉积速率极慢（每秒 5-100 个原子）以达到结构。典型的 MBE 生长在双面抛光 c 切割蓝宝石上产生单层厚的 MoS2 隔离三角形。目前，MBE MoS2 仅在蓝宝石基板上提供，但在不久的将来，我们的 MBE 基板还将包括云母、石墨和金。  

MBE、CVD、MOCVD的比较

MBE、CVD和MOCVD之间的TEM比较

 从 MBE MoS2 收集的光学图像

 

MBE MoS2 悬浮在 TEM 网格上

 从 MBE MoS2 收集的 PL 光谱

 从 MBE MoS2 收集的拉曼光谱

样本属性

样本量 1cm x 1cm 方形
基板类型 双面抛光 C 形切割蓝宝石
覆盖范围 孤立的三角形，但可能达到一定的连续性
电气特性 直接间隙激子半导体
晶体结构 六角相
晶胞参数 a = b = 0.33 nm，c = 1.292 nm，α = β = 90°，γ = 120°
生产方法 分子束外延 (MBE)
表征方法 拉曼、光致发光、TEM、XRD 等

 

2dsemiconductors BLK-Cd3As2简介

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2dsemiconductors BLK-Cd3As2简介

2dsemiconductors代理

Cd3As2 Crystal

SKU: 2dsemiconductors BLK-Cd3As2

Cd3As2晶体

砷化镉（Cd3As2）是非层状块状狄拉克半金属晶体。Cd3As2 是属于 II-V 族的简并 n 型半导体，具有高载流子迁移率、低有效质量和高度非抛物线导带。这些*的量子特性已将 Cd3As2 晶体确立为研究其他传统材料系统中不存在的量子效应的共同基础。我们的 Cd3As2 晶体是使用 Bridgmann 生长技术在 3 个月内使用 6N 纯度粉末合成的。由于晶体中不存在缺陷，晶体具有高度结晶性，并且在空气中表现出令人印象深刻的材料稳定性。


Cd3As2量子晶体的性质


样本量 每个订单最多包含 1 厘米大小的水晶
材料特性 狄拉克半金属，外尔
晶体结构 I4 1 cd 空间群
晶胞参数 a=1.265 纳米 c= 2.544 纳米
生产方法 选择性气相生长 (SVG)
其他特点

  • 环境稳定

  • 6N纯度无缺陷存在

  • 单晶

  • 难以剥离（块状量子材料）